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发展历程

ABOUT HIWAFER
发展历程
  • 2021年

    1、2021年1月,海威华芯GaAs获全国工商联 “A级项目”(省部级科技一等奖)。


  • 2020年

    1、2020年4月,海威华芯5G基站产品在2020成都新经济新场景新产品首场发布会上向全球发布


    2、2020年10月,海威华芯砷化镓毫米波芯片荣登中国芯优秀产品榜


    3、2020年12月6吋第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线项目验收通过。

  • 2019年

    1、2019年8月,Hiwafer PPA15工艺正式发布;

    2、2019年产值翻一番,多款产品实现量产

  • 2018年

    成都海威华芯科技有限公司新增射线装置应用项目环境保护竣工验收。

  • 2017年

    1、2017年8月产出中国第一片6英寸SiC基GaN晶圆;


    2、2017年9月,海威华芯加入5G创新联盟。


  • 2016年

    1、2016年4月全面打通生产线,并发布首款新品,IPD工艺、0.25um GaAs pHEMT产品;

     

    2、2016年8月GaAs芯片获成都市科技进步二等奖,实现量产


  • 2015年

    2015年10月,首台主设备搬入。

  • 2011年

    公司成立,并开始建设厂区。

  • 2010年

    规划建设初期

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