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无源制程产品介绍

IPD2M

 
  • 适用于无源电路芯片设计与制造;
  • 匹配电路、功分器/合成器、滤波器、耦合器等。

GaAs制程产品介绍

PPA25: 0.25 µm Power pHEMT工艺

工艺特点:
  • 0.25μm Optical T-gate
  • 平坦化工艺(离子注入隔离)
  • 特殊 Double Recess结构
  • High-Q 钝化层
  • MIM 电容
  • TaN 电阻(50Ω/sq)
  • GaAs 电阻
  • 空气桥
  • 背面通孔
  • Protection overcoat(PBO)
  • Operation up to Vd=8V
典型技术参数:

Idss=360mA/mm,Gm=450mS/mm,BVgd=18V,Vth=-1.1V
 
  • 适用于宽带、窄带中小功率放大器,可实现多种MMIC
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